STD15NF10T4技术参数详情：
STD15NF10T4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其100V的漏源电压和高达23A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。导通电阻（Rds(on)）典型值低至65毫欧，能有效减少导通状态下的能量损失。同时，极低的栅极电荷（最大40nC）确保了快速的开关切换，有助于降低开关损耗并提升整体系统频率与效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中高效功率开关的理想解决方案。
- 型号:STD15NF10T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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