STB10LN80K5技术参数详情：
STB10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）与8A连续漏极电流（Id），专为高耐压、高效率的功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备极低的导通电阻（Rds(on)典型值630mΩ @10V, 4A）和较低的栅极电荷（Qg最大值15nC @10V），这共同实现了更低的导通损耗与开关损耗，有助于提升电源系统的整体能效。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达110W的功率耗散能力，确保了在工业级应用环境下的长期运行可靠性。
- 型号:STB10LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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