STB10N60M2技术参数详情：
STB10N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，有助于最小化传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了高效的开关性能，有利于提升系统整体能效和功率密度。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和85W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境下的稳定运行。
- 型号:STB10N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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