STB11N52K3

STB11N52K3是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心规格为525V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），采用表面贴装D2PAK封装，专为要求高耐压和高效率的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的导通与开关特性上：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）低至510毫欧，有助于最小化导通损耗；同时，较低的栅极电荷（51nC）和输入电容支持更快的开关速度，减少开关损耗并简化驱动。这些特性使其成为开关电源、功率校正及电机驱动等高压电路中提升能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STB11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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