IRFP460技术参数详情：
IRFP460是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其PowerMESH II产品系列，采用TO-247-3封装。该器件核心特性包括500V的漏源电压(Vdss)和18.4A的连续漏极电流(Id)额定值，能够胜任高压大电流的开关任务。
其技术优势体现在较低的导通电阻（270mΩ @ 10V, 9A）和优化的栅极电荷（128nC @ 10V），这有助于降低导通损耗并提升开关效率。器件支持高达220W的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在严苛热环境下的稳定性和可靠性，适用于各类功率转换与电机驱动应用。
- 型号:IRFP460
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:128 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2980 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:220W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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