STB11N65M5技术参数详情：
STB11N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压和9A连续漏极电流，专为高压、高效率的功率开关应用而设计。
其技术优势体现在关键性能参数的优化上：最大导通电阻（Rds(on)）低至480毫欧（@4.5A, 10V），有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为17nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同保障了电源系统在高频工作下的整体效率。该器件支持高达150°C的结温，适用于工业电源、PFC电路及电机驱动等对可靠性和性能要求严苛的领域。
- 型号:STB11N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB11N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
