STB11NK40ZT4

STB11NK40ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于400V的高漏源电压（Vdss）与低至550毫欧（@10V， 4.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗。

该器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为9A，最大功率耗散达110W，具备强大的电流处理与散热能力。同时，其栅极电荷（Qg）最大仅为32nC，支持快速开关，有助于提升开关电源等应用的工作频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在工业级环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STB11NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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