STB120N10F4技术参数详情：
STB120N10F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心特性在于能够处理高达120A（Tc）的连续漏极电流，并在10V栅极驱动电压下工作，最大功率耗散为300W（Tc），展现了强大的电流处理与散热能力。
该器件设计用于100V的中压应用场景，其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）和±20V的栅源电压耐受值，确保了其在苛刻环境下的操作稳定性和可靠性。这些参数使其成为大电流开关、功率转换等高效能设计的理想选择。
- 型号:STB120N10F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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