STDLED627技术参数详情：
STDLED627是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。其核心电气参数定义了其在高效功率开关应用中的优势地位。
该器件具备620V的高漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，为高压中等电流应用提供了坚实的基础。关键特性在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下，最大导通电阻低至1.2欧姆，配合仅35nC的栅极电荷，共同确保了低导通损耗与快速的开关速度，有助于提升整体系统的能效和功率密度。
- 制造商产品型号：STDLED627
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
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