STB130NS04ZBT4

STB130NS04ZBT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MESH OVERLAY产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其33V/80A的额定规格与极低的导通电阻（9mΩ @ 40A, 10V），能够显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

此外，其优化的栅极电荷（80nC @ 10V）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，而宽达-55°C至175°C的工作结温范围及300W（Tc）的功率耗散能力，则确保了其在苛刻环境下的高可靠性。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:STB130NS04ZBT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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