STB14NK50Z-1技术参数详情：
STB14NK50Z-1是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和14A连续漏极电流（Id），为高压功率转换应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：最大380毫欧的低导通电阻（Rds(on) @ 10V, 6A）确保了较低的传导损耗，而最大92nC的栅极电荷（Qg @ 10V）则有利于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗。该器件设计工作结温高达150°C，最大功耗150W，具备在严苛环境下稳定运行的鲁棒性。
- 型号:STB14NK50Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 现在可以订购STB14NK50Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
