STB155N3H6

STB155N3H6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3mΩ @ 10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流承载能力，这使其在30V的工作电压下能够显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该器件隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VI产品系列，具备优化的开关特性，栅极电荷（Q_g）为62nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在苛刻的工业环境与高功率密度应用中的稳定性和可靠性。

• 型号:STB155N3H6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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