STB15N65M5

STB15N65M5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh V技术，封装为D2PAK。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了基础保障。

器件的关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至340毫欧（@5.5A, 10V），能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值810pF @100V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。

• 型号:STB15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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