LET9060TR技术参数详情：
LET9060TR是ST意法半导体生产的一款射频功率LDMOS晶体管，采用PowerSO-10RF封装，专为高频高功率放大应用设计。该器件在960MHz频率下可提供60W的输出功率和17.2dB的增益，额定电压达80V，额定电流为12A，适用于高压工作环境。
其技术核心在于LDMOS结构带来的高功率处理能力和良好的线性性能，封装底部的裸露焊盘增强了散热效率。该器件主要面向基站和广播设备等需要稳定射频功率放大的场景，尽管目前已停产，但参数仍具参考价值。
- 型号:LET9060TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.2dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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