STB15NK50ZT4

STB15NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动电压、7A电流条件下最大340毫欧的低导通电阻（Rds(on)），实现了高耐压与低损耗的有效结合。

在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达14A，最大功耗为160W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，具备较强的功率处理能力和宽温工作适应性。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗，提升系统效率，主要面向开关电源、照明和电机控制等中功率离线式转换应用。

• 型号:STB15NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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