STP9NK70ZFP

STP9NK70ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括700V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达7.5A的连续漏极电流（I_D）能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值68nC）确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗。器件采用TO-220FP绝缘封装，最大功耗为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的电源转换系统提供了坚实的基础。

• 型号:STP9NK70ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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