STB16N90K5技术参数详情：
STB16N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和25°C壳温下15A的连续漏极电流（Id），为高电压应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为330毫欧 @ 7.5A，同时栅极电荷（Qg）最大值低至29.7nC @ 10V。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。器件支持-55°C至150°C的结温工作范围，并具备190W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STB16N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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