STB16NF25技术参数详情：
STB16NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压和高达14.5A的连续漏极电流承载能力，配合极低的4毫欧导通电阻（@10V，30A），能够显著降低功率损耗，提升系统整体效率。
该器件具备良好的开关特性，2.5V的最大栅极阈值电压使其易于驱动，而40nC的栅极电荷有助于实现快速的开关切换。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如高效率DC-DC转换、电机驱动及负载开关管理等场景。
- 型号:STB16NF25
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4490 pF @ 12 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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