STFI5N80K5

STFI5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用I2PAKFP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.75欧姆 @ 2A，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值5.5nC @ 10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和可靠性的功率开关场合中表现出色。

• 型号:STFI5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI5N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。