STB16NS25T4技术参数详情：
STB16NS25T4是ST意法半导体基于MESH OVERLAY技术制造的N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。
器件的关键性能优势体现在其低导通特性与开关效率上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为280毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，最大80nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统频率响应。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等应用中追求高效率与可靠性的优选功率开关解决方案。
- 型号:STB16NS25T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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