STB170NF04

STB170NF04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，设计用于在40V的漏源电压下处理高达80A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为5毫欧（@10V，40A），这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值为170nC，有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为高功率密度DC-DC转换、电机驱动和电源管理应用的理想选择。

• 型号:STB170NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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