STW11NB80技术参数详情：
STW11NB80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为800毫欧，同时总栅极电荷（Qg）最大值被控制在70nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其非常适合于提升开关电源等系统的整体能效。此外，器件支持高达150°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的运行可靠性。
- 型号:STW11NB80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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