STB17N80K5技术参数详情：
STB17N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻特性，在10V Vgs、7A Id条件下，Rds(on)最大值仅为340毫欧，这为高压应用中的效率提升奠定了坚实基础。
其电气参数设计兼顾了性能与易用性。器件在壳温25°C下可支持14A的连续漏极电流，最大栅源电压为±30V。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值26nC @10V）有助于降低开关损耗并简化驱动设计。这些特性使其成为要求高耐压、高效率与可靠性的功率转换应用的理想选择。
- 型号:STB17N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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