STB18NM80技术参数详情：
STB18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在较低的导通电阻与优化的动态特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现出色，有助于最小化导通损耗。同时，控制的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。结合190W的功率耗散能力和高达150°C的结温工作范围，此器件确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，主要面向工业电源、电机驱动及高效照明系统等应用领域。
- 型号:STB18NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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