STF18N65M5

STF18N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术开发的N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与15A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大220毫欧的低导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率传输与低导通损耗，而最大仅31nC的栅极电荷（Qg）则支持快速的开关速度，有助于提升系统工作频率与效率。这些特性使其成为离线式开关电源、电机驱动及工业电源系统中高性能开关元件的理想选择。

• 型号:STF18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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