STB190NF04T4技术参数详情：
STB190NF04T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，专为要求高效率和高电流处理能力的应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、95A Id条件下典型值仅为4.3mΩ，配合130nC的栅极电荷（Qg @ 5V），实现了传导损耗与开关损耗的优异平衡。该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温下可连续通过高达120A的电流，最大功率耗散为310W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛工况下的稳定运行。
- 型号:STB190NF04T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 95A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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