STP11NM60ND

STP11NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值较低，有效减少了导通损耗。同时，最大30nC的栅极电荷（Q_g）确保了快速的开关切换能力，有利于降低开关损耗并提升系统工作频率。这些特性使其在要求高效率的功率转换场景中表现出色。

该器件设计工作结温高达150°C，确保了在高温环境下的可靠运行。综合其电压等级、电流能力、低导通阻抗及开关特性，STP11NM60ND主要面向开关电源、电机驱动、照明和工业控制等领域的功率开关应用。

• 型号:STP11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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