STB200NF04L-1技术参数详情：
STB200NF04L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其120A的高连续电流能力与极低的3.8毫欧导通电阻（@10V Vgs, 50A Id），这使其在导通期间的功率损耗显著降低，从而提升整体系统效率。
其电气参数针对低压大电流开关应用进行了优化，具备40V的漏源电压额定值。器件支持高达±16V的栅源电压，并具有较低的栅极电荷，有利于实现快速的开关速度。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换等应用的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。
- 型号:STB200NF04L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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