STB200NF04L技术参数详情：
STB200NF04L是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，额定漏源电压为40V，在25°C壳温下可支持高达120A的连续漏极电流，展现出强大的电流承载能力。
其核心优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动、50A电流条件下，其导通电阻最大值仅为3.5毫欧，能显著降低传导过程中的热量产生。同时，其栅极电荷最大值被优化至90nC（@4.5V），有助于实现高效的开关操作，减少开关损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STB200NF04L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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