STB20N90K5技术参数详情：
STB20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh系列。该器件采用先进的超结技术，实现了900V高漏源电压与低导通电阻的优异结合，在10V Vgs、10A Id条件下，其导通电阻典型值仅为250毫欧，有效降低了传导损耗。
其优化的栅极电荷（典型值40nC @ 10V）有助于实现快速的开关切换，提升系统在高频工作下的效率。器件采用DPAK表面贴装封装，具备250W的强散热能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了核心组件支持。
- 型号:STB20N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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