STP10N95K5

STP10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至800毫欧（典型值）的导通电阻（R_DS(on)），这使其在高压应用中能显著降低导通损耗。

同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为22nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。该MOSFET采用TO-220封装，在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流和130W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为工业级电源与功率转换设计提供了可靠、高效的解决方案。

• 型号:STP10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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