STB20N95K5

STB20N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于高达950V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至330毫欧（@9A, 10V）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于第五代SuperMESH技术对芯片单元结构的优化。

该器件具备17.5A（T_C=25°C）的连续电流处理能力和250W的最大功率耗散，同时其低栅极电荷（Q_g典型值40nC @10V）特性有助于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在高压、高功率应用环境下的稳定性和可靠性，是提升开关电源、电机驱动及新能源逆变系统效率的理想选择。

• 型号:STB20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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