STB20NM50-1技术参数详情：
STB20NM50-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括550V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为250毫欧，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）优化了开关性能，提升了系统在如开关电源等高频应用中的整体效率与可靠性。
- 型号:STB20NM50-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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