STB20NM60T4

STB20NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），封装于坚固的D2PAK表面贴装封装内。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（RdsOn）低至290毫欧（@10A），有效降低了导通损耗；同时，54nC的栅极电荷（Qg）与1500pF的输入电容（Ciss）有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为高效率、高可靠性功率转换设计的理想选择。

• 型号:STB20NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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