STB20NM60-1技术参数详情：
STB20NM60-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气参数包括600V的漏源电压(Vdss)和20A的连续漏极电流(Id)，能够处理较高的功率等级。
其关键优势在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至290毫欧，有效降低了导通损耗。同时，54nC的栅极电荷(Qg)和1500pF的输入电容(Ciss)确保了快速的开关瞬态，有助于提升整体电源效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高效能转换应用的理想选择。
- 型号:STB20NM60-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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