STF7N105K5技术参数详情：
STF7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其1050V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至2欧姆（@10V，2A）的导通电阻，实现了高压环境下导通损耗的有效控制。
其电气特性经过优化，具备较低的栅极电荷（17nC @10V）和输入电容，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。在壳温条件下，器件支持4A连续电流和25W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于要求高耐压和高效率的功率转换应用。
- 型号:STF7N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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