STB21N90K5

STB21N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心特性包括高达900V的漏源电压（V_DSS）和18.5A的连续漏极电流（I_D）承载能力。

其关键优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在标准驱动条件下典型值仅为299mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Q_g）参数有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。器件采用坚固的D2PAK表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，为高功率密度和高可靠性的电源与电机控制应用提供了理想的解决方案。

• 型号:STB21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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