STD20NF10T4

STD20NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（V_DSS）和25A（Tc）的连续漏极电流处理能力，同时实现了低至45毫欧（@15A,10V）的导通电阻，有效降低了导通损耗，提升了能效。

其设计注重开关性能与易驱动性的平衡，最大栅极电荷（Q_g）仅为55nC，有助于减少开关损耗并简化驱动电路。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，功率耗散达85W（Tc），确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。

• 型号:STD20NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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