STB21NK50Z

STB21NK50Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准。该器件核心特性包括500V的漏源电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D），能够在高电压、大电流的汽车及工业环境中稳定工作。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为270毫欧（@8.5A），有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g）有助于提升开关效率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，最大功耗190W（T_C），工作结温高达150°C，确保了在高温高功耗应用下的可靠性。

• 型号:STB21NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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