


STD5NK40Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于提供高效的功率开关性能,其核心优势在于结合了400V的高漏源击穿电压与较低的导通电阻,在10V Vgs、1.5A Id条件下典型Rds(on)仅为1.8欧姆,有助于降低导通损耗。
此外,其栅极电荷(Qg)最大值低至17nC,输入电容(Ciss)也得到优化,这共同带来了快速的开关速度和较低的驱动损耗,提升了高频应用下的效率。器件采用I-PAK通孔封装,最大功耗45W(Tc),工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在各类电源转换和电机控制应用中的可靠性与鲁棒性。
