STB21NM50N-1技术参数详情：
STB21NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔I2PAK封装，核心电气参数定位明确，旨在满足高压、高效应用的需求。
其关键规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。尤为突出的是，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，配合最大65nC的栅极电荷（Qg），共同实现了优异的传导与开关效率平衡，有助于降低系统整体损耗。
该器件设计工作结温高达150°C，最大功率耗散为140W，展现了良好的热性能和可靠性，适用于对能效和鲁棒性有较高要求的工业级功率转换场景。
- 型号:STB21NM50N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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