STP40NS15技术参数详情：
STP40NS15是ST意法半导体MESH OVERLAY系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于150V漏源电压（Vdss）和40A连续漏极电流（Id）的额定值下，实现了低至52毫欧（最大值）的导通电阻（Rds(on)）与110nC（最大值）的栅极电荷（Qg），这确保了器件在导通状态和开关切换过程中均具有较低的功率损耗。
该器件设计用于10V栅极驱动，具备±20V的栅源电压耐受能力和高达175°C的结温工作范围，提供了稳定的开关控制和良好的热可靠性。这些特性使其非常适合应用于高效率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路中，以优化系统性能和效率。
- 型号:STP40NS15
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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