STB22NM60N技术参数详情：
STB22NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和16A连续漏极电流，专为高效功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）仅220mΩ，有助于降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷（44nC）和输入电容优化了开关特性，减少了开关损耗。高达125W的功率耗散能力和150°C的最大结温，确保了其在高温、高功率环境下的长期运行可靠性。
- 型号:STB22NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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