STB24N60M2技术参数详情：
STB24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压高功率应用环境。
其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大29nC）和输入电容特性确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，具备良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STB24N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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