STP190N55LF3技术参数详情：
STP190N55LF3是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件额定漏源电压55V，在壳温25°C下可承受高达120A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、30A Id条件下，导通电阻典型值仅为3.7毫欧。同时，它拥有2.5V的低栅极阈值电压和80nC（@5V Vgs）的低栅极电荷，这有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。这些特性使其成为高电流、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STP190N55LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP190N55LF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
