STB25NF06LAG

STB25NF06LAG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型DPAK封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达20A的连续漏极电流（I_D）处理能力，适用于中压大电流的开关场景。

该器件的显著优势在于其优化的开关性能。它在10V栅极驱动电压下的栅极电荷（Q_g）典型值仅为14nC，这一低Qg特性有助于实现快速的开关切换，从而显著降低开关损耗，提升系统在DC-DC转换、电机驱动等高频应用中的整体能效和功率密度。

• 型号:STB25NF06LAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB25NF06LAG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。