STB25NM60N-1技术参数详情：
STB25NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与21A连续漏极电流（Id），专为中高功率开关应用设计。
其技术优势体现在采用第二代MDmesh技术，实现了低至160毫欧（@10.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值84nC）和输入电容特性，确保了快速高效的开关性能。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为160W，具备出色的热管理和可靠性。
- 型号:STB25NM60N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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