VND05B-11-E技术参数详情：
VND05B-11-E是ST意法半导体生产的一款双通道高端智能配电开关/负载驱动器。该器件采用N沟道MOSFET技术，集成于7-HEPTAWATT通孔封装中，无需独立供电（Vcc/Vdd），可直接由6V至26V的负载电源驱动，极大简化了外围电路。
其核心卖点在于将功率开关、驱动与保护功能高度集成。每个通道可提供高达1.6A的连续输出电流，最大导通电阻仅为200毫欧，确保了高效的电能传输与低功耗。器件内置了全面的故障保护机制，包括开路负载检测和超温关断，并通过状态标志引脚提供诊断反馈，增强了系统运行的可靠性和可维护性。工作结温范围宽达-40°C至150°C，适用于环境苛刻的应用。
- 型号:VND05B-11-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:7-HEPTAWATT
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR SMART SSR N-CH HEPTAWATT7
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:6V ~ 26V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:1.6A
- 导通电阻（典型值）:200 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:开路负载检测，超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:7-HEPTAWATT
- 封装/外壳:Heptawatt-7（水平，弯曲和错列引线）
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