STB26N60M2

STB26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M2技术制造，封装为表面贴装型D2PAK。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的低损耗特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为165毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至34nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，有助于实现更高的系统效率和功率密度。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:STB26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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