STL8N65M2

STL8N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装PWRFLAT56 HV封装。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），在10V栅极驱动下可实现较低的导通电阻，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件设计用于优化功率转换效率与可靠性，其栅源电压耐受范围达±25V，增强了驱动电路的抗干扰能力。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件，适用于要求高功率密度和稳定性的电源与电机控制设计方案。

• 型号:STL8N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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